Hitachi đã có ổ trạng thái rắn SLC 25nm đầu tiên

Hitachi GST đã công bố ổ trạng thái rắn (SSD) flash NAND SLC (single-level cell) lớp doanh nghiệp đầu tiên sử dụng công nghệ 25nm.
Công ty sản xuất sản phẩm tiêu dùng Hitachi Global Storage Technologies (Hitachi GST) đã công bố ổ trạng thái rắn (SSD) flash NAND SLC (single-level cell) lớp doanh nghiệp đầu tiên sử dụng công nghệ 25nm.

Ultrastar SSD400S.B là ổ SSD 2,5inch sử dụng mạch ghép nối SAS 6 Gbps. Nó có 3 phiên bản với các dung lượng: 100 GB, 200 GB và 400 GB.

Nhiều nhà sản xuất khác đã sản xuất ổ SSD 25nm bằng cách sử dụng công nghệ MLC (multi-level cell) và mạch ghép nối SATA (serial ATA). Dùng các ổ đĩa SAS ít bị ngắt quãng hơn vì chúng có cổng kép, cho phép chuyển đổi dự phòng nếu có một cổng tồi đi. Các ổ Ultrastar mới tích hợp sẵn khả năng mã hóa.

Hitachi sử dụng NAND SLC của Intel. Chip nhớ flash NAND SLC đắt hơn, có hiệu suất và độ tin cậy cao hơn so với các ổ đĩa MLC. Ổ đĩa MLC yêu cầu phần mềm đặc biệt để tăng tuổi thọ và độ tin cậy của chúng. Trong suốt vòng đời mình, model 400 GB của ổ Ultrastar SSD400S.B có thể ghi/xóa tới 35 PB (1 PB=1.000 T=1 triệu GB) dữ liệu, Hitachi GST cho biết. Đó là tương đương với ghi/xóa 19,2 TB/ngày trong 5 năm.

Ultrastar SSD 400S.B cung cấp tốc độ đọc tuần tự lên đến 536 MB/giây, tốc độ ghi tuần tự lên đến 502 MB/giây. Khi đọc nó có thể đạt tối đa 57.500 IOPS và khi ghi có thể đạt tối đa 25.500 IOPS./.

Anh Quân (TTXVN)

Tin cùng chuyên mục