Samsung ngày 23/9 thông báo đã bắt đầu sản xuất đại trà module bộ nhớ DDR3 8GB dựa trên định dạng SODIMM mà nhiều notebook và máy trạm di động sử dụng.
Những module trên được sản xuất dựa trên các chip nhớ DDR3 4GB 40nm tốc độ 1.333MHz và mức tiêu thụ điện 1,5V.
Một module DDR3 8GB sử dụng công nghệ mới này được khẳng định tiết kiệm được 53% điện năng so với hai module DDR3 4GB, và 67% so với các module DDR2 1,8V.
Hiện Samsung chưa công bố giá bán lẻ của từng thành phần đơn lẻ. Những module này sẽ là một sự lựa chọn trong máy trạm di động Precision M6500 của Dell với bốn khe cắm hỗ trợ bộ nhớ tối đa 32GB.
Theo công ty nghiên cứu thị trường iSuppli Corp., thị trường DRAM dự kiến tăng trưởng 51% trong năm 2010 và 60% vào năm 2011./.
Những module trên được sản xuất dựa trên các chip nhớ DDR3 4GB 40nm tốc độ 1.333MHz và mức tiêu thụ điện 1,5V.
Một module DDR3 8GB sử dụng công nghệ mới này được khẳng định tiết kiệm được 53% điện năng so với hai module DDR3 4GB, và 67% so với các module DDR2 1,8V.
Hiện Samsung chưa công bố giá bán lẻ của từng thành phần đơn lẻ. Những module này sẽ là một sự lựa chọn trong máy trạm di động Precision M6500 của Dell với bốn khe cắm hỗ trợ bộ nhớ tối đa 32GB.
Theo công ty nghiên cứu thị trường iSuppli Corp., thị trường DRAM dự kiến tăng trưởng 51% trong năm 2010 và 60% vào năm 2011./.
Huy Lê (Vietnam+)